Срочно (04.09.26): Китайцы нашли способ создавать передовую память DRAM без запрещенного западного оборудования - новости smi.mobi (04.09.26)

Китайцы нашли способ создавать передовую память DRAM без запрещенного западного оборудования

Автоматически добавлена на сайт: 21:37



Китайский производитель оборудования для полупроводников Naura Technology Group сообщил о разработке двухэтапного процесса травления, который может использоваться при создании 3D DRAM. По данным компании, технология позволяет равномерно обрабатывать структуры как минимум с 64 парами слоев и потенциально дает возможность повышать плотность памяти за счет вертикального масштабирования.
Читать полностью в источнике:
https://www.ixbt.com/news/2026/09/04/432568-kitaicy-nasli-sposob-sozdavat-peredovuiu-pamiat-dram-bez-zapreshhennogo-zapadnogo-oborudovaniia.html
Главные новости IXBit
Наш канал в Телеграм!
ДЛЯ ОЦЕНКИ НОВОСТИ ВОЙДИТЕ НА САЙТ
Комментарии 0
Пока нет комментариев
Введите свои данные, чтобы написать сообщение:

Вернуться ко всем новостям
Поддержать наш проект для развития сайта
ЗДЕСЬ МОЖЕТ БЫТЬ ВАША РЕКЛАМА